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2023

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大功率深紫外AlGaN基LED发光材料与器件项目立项

      据国家新闻报报道，由第三代半导体产业链上企业牵头的国家“十四五”重点研发项目“大功率深紫外AlGaN基LED发光材料与器件产业化关键技术”近日获得立项。

据介绍，该项目研究内容涵盖深紫外LED先进外延技术、芯片制造技术、封装技术和可靠性评价，力求实现高性能大功率深紫外LED外延芯片量产，同时电光转化效率、光功率、寿命等主要性能指标突破国际瓶颈。

     项目牵头单位中科院以自主创新技术立身，围绕第三代半导体氮化物深紫外光电材料，突破了一系列产业化关键技术。

资料显示，项目成立于2018年4月，2019年5月正式投产，实现了深紫外LED芯片技术产业化与核心器件国产化，已成为集核心装备、核心材料、芯片制造、封装应用于一体的全产业链生态垂直整合型深紫外LED企业。

     现阶段，已基本形成紫外LED全产业链生态体系，可提供UVA/B/C全系列紫外LED芯片、灯珠产品、各类紫外LED封装模组以及防疫装备、医用消杀、便携消杀等多场景、多类型消杀产品。

    值得一提的是，除上述项目外，今年4月，中科院牵头的“大功率深紫外LED模组项目”上榜2022-2023年度国家重点研发计划。该项目致力于深紫外LED在公共场所的杀菌消毒应用研究，提高自研深紫外LED芯片光效与拓展深紫外LED在公共卫生领域应用需求。

    此外，产品研发方面，今年6月，中科院在大功率芯片产品研发方面获得突破性进展，已成功研制出光功率输出在120mW以上的大功率芯片。产品可以实现稳定量产，主要应用于静态水模组、流动水杀菌等场景。

    据悉，45*45mil大功率LED芯片在注入电流350mA的条件下，输出光功率可达88.39mW，工作电压5.71V；在注入电流500mA的条件下，输出光功率可达122.82mW，工作电压5.90V；饱和电流可达1860mA。

  我司也加快了大功率UVC紫光365-380nm生产与推广，生产封装检测中心配备了深紫外低温光谱检测系统等一系列实验仪器和装置，总价值1000余万元，将为客户提供专业、高效的分析、检测、测试等技术服务。

    值得一提的是，去年疫情形势延宕反复，我司深紫外LED产品落地多处，助力疫情防控，如UVC LED包裹消毒设备落户多所高校、医院。紫外LED消杀产品进驻方舱医院控、UVC LED消杀产品助力冬奥会防疫和海关疫情防控等。（深圳极品照明摘要）

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